> Просто например у меня с 2010 года в одном массиве стояло две
> Тошибы на 60 гиг, и только одна выжила. :) Wearout флеша - вероятностный процесс. Блок может стать плохим на 10-м цикле. Или на 10 000-м. Распределение, вероятно, нечто типа bath curve обычного в таких делах.
И два чипа флеша, даже взятые с одной вафли - вовсе не обязательно идентичны по свойствам, есть достаточно нехилый разброс. По этой причине после того как чипы напекли делается дофига валидации, классификации, тестов и проч.
Простой пример: у NAND прямо с фабрики в чипе defect list - и чип считается исправным, если в нем СРАЗУ С ФАБЫ "не более чем эн дефектов". SSD использует меньше полезной емкости чем суммарная емкость чипов, часть блоков зарезервирована на замену тех которые стали сбоить. Ну а как этот резерв заканчивается, фирмвара SSD и оказывается в патовой ситуации, как максимум в readonly выпадает. Потому что заменять дефектные блоки более не на что. Если теорвер так сложился что резерв быстро вылетел - ну, не повезло.
А если хочется эту механику познать более плотно - есть такая штука как ubi и ubifs, кладется на вот именно такой RAW NAND (для чего конечно же железка с RAW NAND нужна, типа одноплатника, современного роутера, etc) - и там все эти параметры можно от души покрутить самому, по вкусу. Можно поменьше емкость, побольше блоков на резерв, или наоборот. Стоит сказать что вон то несколько канительно т.к. надо оперировать странными вещами, типа размера Erase Block и "page" флеша, часть page отведена под FEC, часть eraseblock - под служебные маркеры, и математика получается не очень круглая даже на SLC/2-level MLC. А у 3-level cell еще и параметры бывают странноватые, потому что 3 бита на ячейку не очень круглое число.
